liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
產品分類
氧化/擴散/退火
立式爐
SiC高溫氧化爐
SiC高溫退火爐
臥式爐
CVD設備
立式LPCVD
臥式LPCVD
化合物晶體設備
SiC單晶生長設備
PVT法長晶爐
液相法長晶爐
籽晶粘接設備
GaN單晶生長設備
Ga2O3單晶生長及外延設備
導模法長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術）
HVPE外延爐
金剛石單晶生長設備
GaAs / InP 單晶生長設備
聯(lián)系方式
地址：濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導體產業(yè)園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現(xiàn)SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現(xiàn)晶體的生長。
在線留言
擴散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設備
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設：中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站
